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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :35 mA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :NPN

Type de montage :Monture de surface

Fréquence - Transition :21 GHz

Le paquet :Produits en vrac

Série :-

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :3.3V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :SOT-523

Mfr :Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.

Figure du bruit (dB Typ @ f) :1.2 dB @ 2 GHz

Puissance maximale :115 mW

Les gains :14dB

Emballage / boîtier :SOT-523

Température de fonctionnement :150°C (TJ)

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :60 @ 5mA, 2V

Définition :Transistors bipolaires à petit signal

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Transistors RF NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Monture de surface SOT-523

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