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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA

Statut du produit :Actif

Type de transistor :1 PNP prédéterminé, 1 NPN

Fréquence - Transition :250 MHz

Type de montage :Monture de surface

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :300 mV @ 250 μA, 5 mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Le nombre de points de contrôle

Résistance - Base (R1) :40,7 kOhms

Mfr :ROHM Semi-conducteur

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :-

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :Pour les appareils à commande numérique:

Puissance maximale :300 mW

Emballage / boîtier :SC-74, SOT-457

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :100 @ 1mA, 5V

Numéro du produit de base :IMD6

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 1 PNP Pré-biasé, 1 NPN 50V 100mA 250MHz 300mW Monture de surface SMT6

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