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PUMH2/DG/B3,115

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PUMH2/DG/B3,115

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA
Statut du produit :Dépassé
Type de transistor :2 NPN - Pré-biasé (double)
Fréquence - Transition :230MHz
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Série :-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :150 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :6-TSSOP
Résistance - Base (R1) :47 kOhms
Mfr :Nexperia États-Unis Inc.
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :1µA
Puissance maximale :300 mW
Emballage / boîtier :Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :80 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base :PUMH2
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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 NPN - Pré-biasé (double) 50V 100mA 230MHz 300mW Monture de surface 6-TSSOP
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