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PDME4 115

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PDME4 115

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA
Statut du produit :Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor :1 NPN, 1 PNP - Pré-biasé (double)
Fréquence - Transition :-
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série :-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :150 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :SOT-666
Résistance - Base (R1) :10kOhms
Mfr :Nexperia États-Unis Inc.
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :-
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :1µA
Puissance maximale :300 mW
Emballage / boîtier :Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :200 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base :PEMD4
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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pré-biasé (double) 50V 100mA 300mW Monture de surface SOT-666
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