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Chaîne vidéo
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Vgs (max) :± 20 V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C :65A (comité technique)
Type de FET :N-canal
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :Le réglage de la tension
Fabricant :Infineon Technologies
Quantité minimale :2000
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé) :4.5V, 10V
Température de fonctionnement :-55°C à 175°C (TJ)
Caractéristique FET :-
Série :HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :1030pF @ 15V
Package du fournisseur :D-PAK
Statut de la partie :Actif
Emballage :Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :8.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (maximum) :Pour les appareils à commande numérique
Emballage / boîtier :TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id :2.35V @ 25μA
Voltage d'échappement à la source (Vdss) :30 V
Définition :Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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