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Package du fournisseur :8-TSSOP
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Quantité minimale :4000
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :Pour les appareils à commande numérique
Emballage / boîtier :8-TSSOP (0.173" ; , largeur de 4.40mm)
Statut de la partie :Dépassé
Le dégagement continu (Id) @ 25°C :4.8A
Emballage :Tape et bobine (TR)
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET :N-canal 2 (double)
Caractéristique FET :Porte de niveau de logique
Voltage d'échappement à la source (Vdss) :20 V
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage.
Rds On (Max) @ Id, Vgs :35 mOhm @ 4,8 A, 4,5 V
Puissance maximale :1.2W
Vgs(th) (maximum) @ Id :1.2V @ 250µA
Série :HEXFET®
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :Transistor MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
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