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IRF7530PBF

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IRF7530PBF

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Package du fournisseur :Micro8™
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :Pour les appareils à commande numérique
Emballage / boîtier :8-TSSOP, 8-MSOP (0.118" ; , largeur de 3.00mm)
Le dégagement continu (Id) @ 25°C :5.4A
Emballage :Tuyaux
Température de fonctionnement :-
Type de FET :N-canal 2 (double)
Caractéristique FET :La norme
Voltage d'échappement à la source (Vdss) :20 V
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :Le système d'alimentation électrique doit être équipé d'un système d'alimentation électrique.
Rds On (Max) @ Id, Vgs :30 mOhm @ 5,4 A, 4,5 V
Puissance maximale :1.3W
Vgs(th) (maximum) @ Id :1.2V @ 250µA
Série :HEXFET®
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :Transistor MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
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