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Chaîne vidéo
Courant de fuite de l' émetteur de porte :+/- 100 nA
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :6 A
Palladium - dissipation de puissance :25 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier :POINT DE GEL TO-220-3
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 20 V
Emballage :Tuyaux
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :2,8 V
Fabricant :STMicroélectronique
Définition :Transistors IGBT N-Ch 1200 Volt 3 Ampère
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