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IRGP4620DPBF

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IRGP4620DPBF

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Courant de fuite de l' émetteur de porte :Na 100
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :32 A
Palladium - dissipation de puissance :140 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :600 V ou plus
Emballage / boîtier :TO-247AC-3
Température de fonctionnement maximale :+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 20 V
Emballage :Tuyaux
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :1.97 V
Fabricant :IR / Infineon
Définition :Transistors IGBT 600V TRENCH IGBT ultra-rapide
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