SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

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Courant de fuite de l' émetteur de porte :Na 100
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 ° C :24 A
Palladium - dissipation de puissance :110 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :600 V ou plus
Emballage / boîtier :TO-263-3
Température de fonctionnement maximale :+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :20 V
Emballage :Le rouleau
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :1,8 V
Fabricant :Infineon Technologies
Définition :Transistors IGBT à faible perte DuoPack 600V 10A
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