SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

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Courant de fuite de l' émetteur de porte :+/- 500 nA
Catégorie de produit :Transistors IGBT
Mode de montage :À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C :60 A
Palladium - dissipation de puissance :180 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max :Pour l'électricité
Emballage / boîtier :TO-264-3
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte :+/- 25 V
Emballage :Tuyaux
Configuration :Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur :1,5 V
Fabricant :Fairchild Semi-conducteur
Définition :Transistors IGBT à haute puissance
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