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Chaîne vidéo
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.) :5.3V
Catégorie de produit :Transistors bipolaires RF
Le gain :12.5 dB
Type de transistor :NPN
Quantité minimale :3000
Package du fournisseur :UFM
Figure du bruit (dB Typ @ f) :1.45 dB @ 1 GHz
Statut de la partie :Actif
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA
Puissance maximale :900mW
Emballage :Tape et bobine (TR)
Fréquence - Transition :11.2 GHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :200 @ 30mA, 5V
Température de fonctionnement :150°C (TJ)
Emballage / boîtier :3-SMD, avances plates
Type de montage :Monture de surface
Série :-
Fabricant :Semi-conducteur de Toshiba
Définition :RFI SIGE HÉTEROJUNCTION BIPOLAR N
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