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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA

Statut du produit :Actif

Type de transistor :NPN

Type de montage :Monture de surface

Fréquence - Transition :10 GHz

Le paquet :Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®

Série :-

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :6V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :UFM

Mfr :Toshiba Semi-conducteurs et stockage

Figure du bruit (dB Typ @ f) :0Pour les appareils à haute fréquence, la fréquence de sortie doit être supérieure ou égale à:

Puissance maximale :800mW

Les gains :12.5 dB

Emballage / boîtier :3-SMD, avance plate

Température de fonctionnement :150°C (TJ)

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :200 @ 30mA, 5V

Numéro du produit de base :MT3Propriété intellectuelle

Définition :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

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Transistor RF NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Monture de surface UFM

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