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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :800mA

Statut du produit :Actif

Type de montage :À travers le trou

Le paquet :Boîte

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :1V @ 50mA, 500mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :40 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :TO-18

Mfr :Solid-state Inc.

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :10nA

Puissance maximale :1.2W

Emballage / boîtier :TO-206AA, le métal TO-18-3 peut

Température de fonctionnement :-65°C | 200°C (TJ)

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :75 @ 10mA, 10V

Numéro du produit de base :2N2222

Définition :NPN SIL TRANS à 18

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Transistors bipolaires (BJT) 40V 800mA 1,2W à travers le trou TO-18

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