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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :3A

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :2 NPN, 2 PNP (pont H)

Type de montage :À travers le trou

Fréquence - Transition :-

Le paquet :Produits en vrac

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :1V @ 200mA, 2A

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :60 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :10-SIP

Mfr :Sanken Electric USA Inc.

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :Pour les appareils à commande numérique:

Puissance maximale :4W

Emballage / boîtier :10-SIP

Température de fonctionnement :150°C (TJ)

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :40 @ 1A, 4V

Numéro du produit de base :STA431

Définition :Le système de régulation de l'énergie doit être conforme à l'annexe II.

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Transistors bipolaires (BJT) 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 60V 3A 4W à travers le trou 10-SIP

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