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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :600 mA

Statut du produit :Actif

Type de transistor :2 NPN (doubles)

Type de montage :Monture de surface

Fréquence - Transition :-

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :Military, MIL-PRF-19500/495 Les produits chimiques et les produits chimiques utilisés pour la fabric

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :900mV @ 30mA, 300mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :40 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :6-SMD

Mfr :Technologie des puces

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :10 μA (ICBO)

Puissance maximale :600 mW

Emballage / boîtier :6-SMD, sans plomb

Température de fonctionnement :-65°C | 200°C (TJ)

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :100 @ 150mA, 10V

Numéro du produit de base :Pour les appareils à commande numérique

Définition :Transistors à double petit signal BJT

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Transistors bipolaires (BJT) Array 2 NPN (double) 40V 600mA 600mW Montage de surface 6-SMD

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