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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :2 NPN - Pré-biasé (double)

Fréquence - Transition :150 MHz

Type de montage :Monture de surface

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :300mV @ 500µA, 10mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide chlorhydrique.

Résistance - Base (R1) :40,7 kOhms

Mfr :Infineon Technologies

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :-

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :-

Puissance maximale :250mW

Emballage / boîtier :Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes s

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :120 @ 5mA, 5V

Numéro du produit de base :BCR119

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 NPN - Pré-biasé (double) 50V 100mA 150MHz 250mW Monture de surface PG-SOT363-PO

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