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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA
Statut du produit :Dépassé
Type de transistor :1 NPN, 1 PNP - Pré-biasé (double)
Fréquence - Transition :200 MHz
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Série :-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Le numéro de référence:
Résistance - Base (R1) :470 ohms
Mfr :Diodes incorporées
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :10kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :-
Puissance maximale :150 mW
Emballage / boîtier :Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :56 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base :DCX142
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