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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA, 500 mA
Statut du produit :Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor :1 NPN Pré-biasé, 1 NPN
Fréquence - Transition :250 MHz, 320 MHz
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Série :-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :Pour les appareils à haute tension, le réglage de la tension doit être effectué à l'aide d'un systèm
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V, 12 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :EMT6
Résistance - Base (R1) :47 kOhms
Mfr :ROHM Semi-conducteur
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :500 nA
Puissance maximale :150 mW
Emballage / boîtier :Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée.
Numéro du produit de base :Les résultats de l'analyse
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