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Le bas signal transmet par relais STMicroelectronics STP75NF75
Module d'ECAD | Empreinte de pas de symbole de carte PCB et modèle 3D |
Pays d'origine | La Chine |
Halogène libre | Conforme |
EOL Date prévu | 2026 |
Est-ce que c'est une partie commun-utilisée ? | Oui |
Popularité | Haut |
Fausse menace sur le marché libre | 41 PCT. |
Statut de l'offre et la demande | Équilibre |
Pièces alternatives (Correspondance) |
AP75N07GP-HF ; AP75N07GP ; BUK9516-75B, 127 ; |
ECCN | EAR99 |
Date d'introduction | 10-Dec-01 |
Nom de famille | STP75NF75 |
Numéro de la pièce de source de victoire | 038692-STP75NF75 |
Dimension | TO-220-3 |
Cas/paquet | TO-220AB |
Support | Par le trou |
Température ambiante - fonctionnant | -55°C à 175°C (TJ) |
Le RDS maximum dessus à l'identification, Vgs | 11 mOhm @ 40A, 10V |
Dissipation de puissance (maximum) | 300W (comité technique) |
Tension maximum de Porte-source | ±20V |
Max Input Capacitance | 3700pF @ 25V |
Max Gate Charge | 160nC @ 10V |
Tension de seuil de Porte-source | 4V @ 250μA |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Courant continu de drain à 25°C | 80A (comité technique) |
Tension claque de Drain-source | 75V |
Technologie | Transistor MOSFET |
Polarité | N-canal |
Statut | Actif |
Emballage | Tube/rail |
Fabricant | STMicroelectronics |
Catégories | Produits semiconducteurs discrets |