EMI Filter IC Texas Instruments /TI LM9061QDRQ1
| Module d'ECAD |
Symbole, empreinte de pas et modèle 3D de carte PCB |
| ECCN |
EAR99 |
| Pays d'origine |
La Malaisie |
| Halogène libre |
Conforme |
| EOL Date prévu |
2028 |
| Statut de l'offre et la demande |
Limité |
| Fausse menace sur le marché libre |
53 PCT. |
| Popularité |
Milieu |
| Fabricant Package |
8-SOIC |
| Paquet |
8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
| Support |
SMD |
| Chaîne de température de fonctionnement |
-40°C | 125°C (TJ) |
| Date d'introduction |
24 novembre 2014 |
| Tension de logique - VIL, VIH |
1.5V, 3.5V |
| Type de porte |
Transistor MOSFET de N-canal |
| Nombre de conducteurs |
1 |
| Type de la Manche |
Simple |
| Emballage |
Bobine - TR |
| Nom de famille |
LM9061 |
| Fabricant |
Texas Instruments |
| Catégories |
Circuits intégrés (IC) |
| Tension d'alimentation d'opération |
7 V | 26 V |
| Configuration conduite |
Du côté haut |
| Série |
Des véhicules à moteur, AEC-Q100 |
Caractéristiques pour le LM9061-Q1
- Qualifié pour des applications des véhicules à moteur
- AEC-Q100 a qualifié avec les résultats suivants :
- Niveau 2 de classification de HBM ESD de dispositif
- Niveau C4B de classification du dispositif CDM ESD
- Coupures d'approvisionnement des tenues 60-V
- Interruption de surtension avec VCC > 30 V
- Verrou- sans perte de protection de surintensité
- La résistance actuelle de sens n'est pas exigée
- Réduit au maximum la perte de puissance avec les charges à forte intensité
- Retard programmable de verrou- de protection
- Sortie progressive pour réduire au minimum des tensions passagères de charge inductive
- Entrée de contrôle marche-arrêt Logique-compatible de CMOS
Description pour le LM9061-Q1
La famille LM9061 se compose des dispositifs de charge-pompe qui fournit la commande de porte à un transistor MOSFET d'alimentation externe de n'importe quelle taille configurée comme conducteur ou commutateur du côté haut. Ceci inclut les transistors MOSFET connectés en parallele multiples pour des applications très à forte intensité. Une entrée marche-arrêt logique-compatible de CMOS commande la tension d'entraînement de porte de sortie. Dans SUR l'état, la tension de pompe de charge, qui est bien au-dessus de l'approvisionnement VCC disponible, est directement appliquée à la porte du transistor MOSFET. Un 15-V intégré Zener maintient la porte maximum à la tension de source du transistor MOSFET. Une fois commandé OUTRE d'un évier 110-µA actuel décharge les capacités de porte du transistor MOSFET pour qu'une caractéristique progressive de sortie réduise au minimum la durée des tensions passagères de charge inductive et pour protège plus loin le transistor MOSFET de puissance.
La protection sans perte du transistor MOSFET de puissance est une fonctionnalité clé du LM9061. La chute de tension (VDS) à travers le dispositif de puissance est continuellement surveillée et comparée contre une tension extérieurement programmable de seuil. Une petite résistance de actuel-détection en série avec la charge, qui cause une perte d'énergie disponible, n'est pas exigée pour les circuits de protection. Si le VDSvoltage, dû au courant excessif de charge, dépasse la tension de seuil, la sortie est verrouillée d'une mode plus progressive (par un évier de courant de sortie 10-µA) après un intervalle programmable de retard.
