L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.

Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.

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Circuits intégrés mémoire MT41K128M16JT-125 V:K

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L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Circuits intégrés mémoire MT41K128M16JT-125 V:K

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Technologie :SDRAM - DDR3L
Catégorie de produit :Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire :Volatil
Écrire le temps de cycle - mot, page :-
Package du fournisseur :Pour les appareils à commande numérique:
Temps d' accès :13.75ns
Format de mémoire :DRAM
Statut de la partie :Dépassé
Taille de mémoire :2Gb (128M x 16)
Emballage :Plateau
Température de fonctionnement :0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Quantité minimale :1368
Interface de mémoire :Parallèlement
Emballage / boîtier :96-TFBGA
Type de montage :Monture de surface
Fréquence d' horloge :800 MHz
Voltage - Appui électrique :1.283 V ~ 1.45 V
Série :-
Fabricant :Technologie des microns
Quantité minimale de commande :50 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, dépôt en escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacité à fournir :RFC
Délai de livraison :Immédiatement.
Détails de l'emballage :DSI/vacuum/écume/cartouches
Lieu d'origine :États-Unis
Numéro de modèle :MT41K128M16JT-125 V:K
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Le MT41K128M16JT-125 V:K,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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