L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.

Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.

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Circuits intégrés de mémoire MTA4ATF25664AZ-2G6B1

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L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Circuits intégrés de mémoire MTA4ATF25664AZ-2G6B1

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Technologie :SDRAM - DDR4
Catégorie de produit :Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire :Volatil
Écrire le temps de cycle - mot, page :-
Package du fournisseur :-
Temps d' accès :-
Format de mémoire :DRAM
Statut de la partie :Dépassé
Taille de mémoire :16 Go (256 M x 64)
Emballage :-
Température de fonctionnement :0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Interface de mémoire :Parallèlement
Emballage / boîtier :-
Type de montage :-
Fréquence d' horloge :1333MHz
Voltage - Appui électrique :1.2V
Série :-
Fabricant :Technologie des microns
Quantité minimale de commande :50 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, dépôt en escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacité à fournir :RFC
Délai de livraison :Immédiatement.
Détails de l'emballage :DSI/vacuum/écume/cartouches
Lieu d'origine :États-Unis
Numéro de modèle :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
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Le MTA4ATF25664AZ-2G6B1, de Micron Technology, est un circuit imprimé de mémoire. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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