L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.

Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.

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Circuits intégrés mémoire MT49H16M18FM-33:B

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L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Circuits intégrés mémoire MT49H16M18FM-33:B

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Technologie :DRAM
Catégorie de produit :Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire :Volatil
Écrire le temps de cycle - mot, page :-
Package du fournisseur :un débit d'électricité supérieur ou égal à:
Temps d' accès :20ns
Format de mémoire :DRAM
Statut de la partie :Arrêté par Digi-Key
Taille de mémoire :288 Mb (16 M x 18)
Emballage :Plateau
Température de fonctionnement :0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Interface de mémoire :Parallèlement
Emballage / boîtier :144-TFBGA
Type de montage :Monture de surface
Fréquence d' horloge :300MHz
Voltage - Appui électrique :1,7 V ~ 1,9 V
Série :-
Fabricant :Technologie des microns
Quantité minimale de commande :50 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, dépôt en escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacité à fournir :RFC
Délai de livraison :Immédiatement.
Détails de l'emballage :DSI/vacuum/écume/cartouches
Lieu d'origine :États-Unis
Numéro de modèle :MT49H16M18FM-33 : B
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Le MT49H16M18FM-33:B,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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