L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.

Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.

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Les circuits intégrés à mémoire MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

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L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Les circuits intégrés à mémoire MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

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Technologie :Flash - NAND
Catégorie de produit :Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire :Non volatils
Écrire le temps de cycle - mot, page :-
Package du fournisseur :-
Temps d' accès :-
Format de mémoire :Le flash
Statut de la partie :Actif
Taille de mémoire :2Gb (256M x 8)
Emballage :& de bande ; Bobine (TR)
Température de fonctionnement :-40°C à 85°C (TA)
Quantité minimale :1000
Interface de mémoire :Parallèlement
Emballage / boîtier :-
Type de montage :-
Fréquence d' horloge :-
Voltage - Appui électrique :1,7 V | 1,95 V
Série :-
Fabricant :Technologie des microns
Quantité minimale de commande :50 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, dépôt en escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacité à fournir :RFC
Délai de livraison :Immédiatement.
Détails de l'emballage :DSI/vacuum/écume/cartouches
Lieu d'origine :États-Unis
Numéro de modèle :MT2F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
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Le MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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