L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.

Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.

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Les circuits intégrés de mémoire MT46H16M32LFB5-6 AT:C

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L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Les circuits intégrés de mémoire MT46H16M32LFB5-6 AT:C

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Technologie :SDRAM - LPDDR mobile
Catégorie de produit :Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire :Volatil
Écrire le temps de cycle - mot, page :15ns
Package du fournisseur :90-VFBGA (8x13)
Temps d' accès :5.0ns
Format de mémoire :DRAM
Statut de la partie :Actif
Taille de mémoire :512Mb (16M x 32)
Emballage :Plateau
Température de fonctionnement :-40°C à 105°C (TA)
Quantité minimale :1440
Interface de mémoire :Parallèlement
Emballage / boîtier :90-VFBGA
Type de montage :Monture de surface
Fréquence d' horloge :166MHz
Voltage - Appui électrique :1,7 V | 1,95 V
Série :-
Fabricant :Technologie des microns
Quantité minimale de commande :50 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, dépôt en escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacité à fournir :RFC
Délai de livraison :Immédiatement.
Détails de l'emballage :DSI/vacuum/écume/cartouches
Lieu d'origine :États-Unis
Numéro de modèle :MT4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S4S
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