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Capteur de circuit intégré

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L'électronique micro Cie., Ltd de Shenzhen Zhongkaixin.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MrJack

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Les circuits intégrés de mémoire MT47H256M8EB-25E AIT:C

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Technologie :SDRAM-DDR2

Catégorie de produit :Circuits intégrés mémoire

Type de mémoire :Volatil

Écrire le temps de cycle - mot, page :15ns

Package du fournisseur :60-FBGA (9x11.5)

Temps d' accès :400ps

Format de mémoire :DRAM

Statut de la partie :Actif

Taille de mémoire :2Gb (256M x 8)

Emballage :Plateau

Température de fonctionnement :-40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)

Quantité minimale :1320

Interface de mémoire :Parallèlement

Emballage / boîtier :60-TFBGA

Type de montage :Monture de surface

Fréquence d' horloge :400 MHz

Voltage - Appui électrique :1,7 V ~ 1,9 V

Série :-

Fabricant :Technologie des microns

Quantité minimale de commande :50 pièces

Conditions de paiement :T/T, Western Union, dépôt en escrow, Paypal, Visa, MoneyGram

Capacité à fournir :RFC

Délai de livraison :Immédiatement.

Détails de l'emballage :DSI/vacuum/écume/cartouches

Lieu d'origine :États-Unis

Numéro de modèle :MT4A4A4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B

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Le MT47H256M8EB-25E AIT:C,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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