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Diode de barrière de Schottky de bâti de surface de la diode de redresseur de l'électronique 2A BAT54A

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Diode de barrière de Schottky de bâti de surface de la diode de redresseur de l'électronique 2A BAT54A

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Numéro de type :BAT54A
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :50000pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Expédition :DHL, Fedex, TNT, SME etc.
Ligne principale :IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.
Plage de température :℃ -65 à +125
Actuel :300 mA
Pack usine :3000pcs/reel
Paquet :SOT-23
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Electronique 2A Redresseur Diode BAT54A Montage en surface Barrière de Schottky Diode

BAT54A SURFACE MOUNT BARRIÈRE DE SCHOTTKY DIODE

Caractéristiques

.low Turn-sur Voltage

. Changement rapide

.PN Junction Guard Ring for Transient

et la protection ESD

Caractéristiques mécaniques

Case: SOT-23, moulé en plastique

Matériau du boîtier - UL Classe d'inflammabilité Classification 94V-0

Bornes: soudable par MIL-STD-202, méthode 208

Polarité: Voir diagrammes ci-dessous

Poids: 0,008 grammes (env.)

la sensibilité à l'humidité: Niveau 1 par J-STD-020A

Informations de commande: Voir Page 3

Marquage code: Voir diagrammes ci-dessous

Évaluations Maximum @ TA = 25 ℃ , sauf indication contraire

Caractéristiques symbole Valeur Unité
Pic Répétitive Tension inverse de crête de travail Tension inverse DC Tension de blocage

VRRM

VRWM

VR

30 V
Courant continu (Note 2) SI 200 mA
Répétitif Pic Courant IFRM 300 mA
Surge Forward @ actuel t <1.0s IFSM 600 mA
Dissipation de puissance (Note 2) Pd 200 Mw
Résistance thermique, jonction à l'air ambiant (Note 2) RJA 500 ℃ / W
Exploitation et de stockage Plage de température Tj, TSTG -65 À 125

Caractéristiques électriques

@ TA = 25 ℃, sauf indication contraire

Caractéristiques symbole Min Typ Max Unité Condition de test
Inverse Tension de rupture V (BR) R 30 - - V IRS = 100 A
Tension directe VF - -

240

320

400

500

1000

mV

IF = 0.1mA

IF = 1mA

IF = 10mA

IF = 30mA

IF = 100mA

Courant de fuite inverse Ir - - 2.0 UA VR = 25V
Capacité totale Cr - - dix pF VR = 1.0V, f = 1.0MHz
Temps de recouvrement inverse Trr - - 5.0 nS

IF = 10mA par

IR = 10 mA à

IR = 1.0mA RL = 100

Remarques: 1. essai d'impulsion de courte durée utilisée pour minimiser l'effet d'auto-échauffement.

2. La partie montée sur Carte FR-4 avec la mise en page de pad recommandée, qui se trouve sur notre site Web

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