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TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

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Numéro de type :TSAL4400
Point d'origine :Philippines
Quantité d'ordre minimum :20
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :20000
Délai de livraison :1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Caractéristiques :• Type de paquet : plombé
Features2 :• Forme de paquet : T-1
Features3 :• Dimensions (dans le millimètre) : ∅ 3
Features4 :• Longueur d'onde maximale : λp = 940 nanomètre
Features5 :• Fiabilité élevée
Features6 :Puissance rayonnante élevée
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TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

 

 

CARACTÉRISTIQUES                                 TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

• Type de paquet : plombé

• Forme de paquet : T-1

• Dimensions (dans le millimètre) : ∅ 3

• Longueur d'onde maximale : λp = 940 nanomètre

• Fiabilité élevée

• Puissance rayonnante élevée

• Radiance élevée

• Angle d'intensité réduite : ϕ = ± 25°

• Basse tension en avant

• Approprié à l'opération en cours d'impulsion élevée

• Bon assortiment spectral avec des détecteurs photoélectriques de SI

• Matchs de paquet avec le détecteur TEFT4300

• Composant sans d'avance (Pb) selon RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

 

 

DESCRIPTION

TSAL4400 est un infrarouge, 940 nanomètre émettant la diode en technologie de GaAlAs/GaAs avec la puissance rayonnante élevée moulée dans un paquet en plastique bleu-gris.

 

APPLICATIONS

• Unités à télécommande infrarouges

• Systèmes de transmission d'air libre

• Source infrarouge pour les compteurs et les lecteurs de cartes optiques

 

L'INFORMATION DE COMMANDE
CODE DE COMMANDE  EMPAQUETAGE    REMARQUES  PAQUET FORMtr (NS)
TSAL4400  Le volume  MOQ : 5000 PCs, 5000 PCs/volume  T-1

 

 

Note

Les conditions d'essai voient le tableau « caractéristiques de base « 

RÉSUMÉ DE PRODUIT
COMPOSANT IE (mW/sr) ϕ (degrés) λP (nanomètre) TR (NS)
TSAL4400 30 ± 25 940 800

 

TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode

 

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