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Diode de redresseur de puissance élevée 1N4756A, diodes Zener planaires de silicium

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Diode de redresseur de puissance élevée 1N4756A, diodes Zener planaires de silicium

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Numéro de type :1N4756A
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :100PCS
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :55000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :Veuillez me contacter pour plus de détails
Paquet :DO-41
Pack usine :2500pcs/reel
expédition :DHL, Fedex, UPS, EMX, TNT
Dissipation de puissance :1W
D/C :2016+
température :-65 à +200
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Diode de redresseur de puissance élevée 1N4756A, diodes Zener planaires de silicium

 

 

Caractéristiques

 

• La structure en verre du paquet DO-41 assure la fiabilité élevée.

• La gamme étendue de 3,3 V à 36 V de tension de zener fournissent l'application flexible.

 

 

L'information de commande

Numéro de la pièce. Bande de cathode Marque Nom de paquet Code de paquet
1N4756A Noir Numéro de la pièce. DO-41 GRZZ0002ZA-A

 

 

Capacités absolues

                                                                                                                            (Merci = 25°C)

Article Symbole Valeur Unité
Dissipation de puissance Palladium 1,0 W
La température de jonction Tj 200 °C
Température de stockage Tstg -65 à +200 °C

 

Diode de redresseur de puissance élevée 1N4756A, diodes Zener planaires de silicium

 

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