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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor

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Numéro de type :BT136-600E

Point d'origine :La Chine

Quantité d'ordre minimum :4000pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, paypal,

Capacité d'approvisionnement :240000PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Description :Verre passivé, triacs sensibles de porte

Tension hors état maximale répétitive :600 V

Courant moyen de sur-état :4 A

Courant maximal non répétitif de sur-état :25 A

La température de stockage :-45~150 ℃

Paquet :TO-220AB

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Porte sensible de puissance de transistor MOSFET du transistor BT136-600E de triacs complémentaires de thyristor

Caractéristiques de

·Avec le paquet de TO-220AB

·Triacs passivés et sensibles en verre de porte sous enveloppe en plastique, destinée à l'utilisation dans des applications bidirectionnelles d'usage universel de contrôle de commutation et de phase, où la sensibilité élevée est exigée dans chacun des quatre quarts de cercle.

DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

SYMBOLE	PARAMÈTRE	VALEUR	UNITÉ
VDRM	Tension hors état maximale répétitive	600	V
VRRM	Tension hors état maximale répétitive	600	V
SERVICE INFORMATIQUE (POIDS DU COMMERCE)	Courant moyen de sur-état	4	A
ITSM	Courant maximal non répétitif de sur-état	25	A
Tstg	Température de stockage	-45~150