Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Membre du site
10 Ans
Accueil / produits / Power Mosfet Transistor /

Transistors Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance de court-circuit

Contacter
Anterwell Technology Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
Contacter

Transistors Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance de court-circuit

Demander le dernier prix
Numéro de type :VND3NV0413TR
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Caractéristiques :Limitation actuelle linéaire
Features2 :Arrêt thermique
Features3 :Protection de court-circuit
Features4 :Bride intégrée
Paquet :TO-252
Ligne principale :IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Transistors Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance de court-circuit

 

 

Caractéristiques

 

Type  Le RDS (dessus) Ilim  Vclamp

VNN3NV04

VNS3NV04

VND3NV04

VND3NV04-1

mΩ 120 3,5 A 40 V

 

 

Limitation actuelle linéaire de ■

Arrêt de courant ascendant de ■

Protection de court-circuit de ■

Bride intégrée par ■

À faible intensité de ■ tiré de la goupille d'entrée

Rétroaction diagnostique de ■ par la goupille d'entrée

Protection d'ESD de ■

Accès direct de ■ à la porte du transistor MOSFET de puissance (entraînement d'analogue)

■ compatible avec le transistor MOSFET standard de puissance conformément. - à la directive 2002/95/E européenne

 

Transistors Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance de court-circuit

Description

 Les VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, sont les dispositifs monolithiques conçus en technologie de STMicroelectronics VIPower M0-3, destinée au remplacement des transistors MOSFET standard de puissance du C.C jusqu'aux applications de 50 kilohertz. Construit pendant l'arrêt thermique, la limitation actuelle linéaire et la bride de surtension protègent la puce dans les environnements durs.

 

  La rétroaction de défaut peut être détectée en surveillant la tension à la goupille d'entrée.

 

 

 

 

 

Résumé de dispositif

Paquet Codes d'ordre
Tube Tube (sans plomb) Bande et bobine Attachez du ruban adhésif et tournoyez (sans plomb)
SOT-223  VNN3NV04 VNN3NV0413TR -
SO-8  VNS3NV04 - VNS3NV0413TR  -
TO-252  VND3NV04  VND3NV04-E  VND3NV0413TR  VND3NV04TR-E

 

Schéma fonctionnel et description de goupille

Transistors Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance de court-circuit

 

Inquiry Cart 0