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Transistors Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance de court-circuit
Caractéristiques
Type | Le RDS (dessus) | Ilim | Vclamp |
VNN3NV04 VNS3NV04 VND3NV04 VND3NV04-1 |
mΩ 120 | 3,5 A | 40 V |
Limitation actuelle linéaire de ■
Arrêt de courant ascendant de ■
Protection de court-circuit de ■
Bride intégrée par ■
À faible intensité de ■ tiré de la goupille d'entrée
Rétroaction diagnostique de ■ par la goupille d'entrée
Protection d'ESD de ■
Accès direct de ■ à la porte du transistor MOSFET de puissance (entraînement d'analogue)
■ compatible avec le transistor MOSFET standard de puissance conformément. - à la directive 2002/95/E européenne
Description
Les VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, sont les dispositifs monolithiques conçus en technologie de STMicroelectronics VIPower M0-3, destinée au remplacement des transistors MOSFET standard de puissance du C.C jusqu'aux applications de 50 kilohertz. Construit pendant l'arrêt thermique, la limitation actuelle linéaire et la bride de surtension protègent la puce dans les environnements durs.
La rétroaction de défaut peut être détectée en surveillant la tension à la goupille d'entrée.
Résumé de dispositif
Paquet | Codes d'ordre | |||
Tube | Tube (sans plomb) | Bande et bobine | Attachez du ruban adhésif et tournoyez (sans plomb) | |
SOT-223 | VNN3NV04 | - | VNN3NV0413TR | - |
SO-8 | VNS3NV04 | - | VNS3NV0413TR | - |
TO-252 | VND3NV04 | VND3NV04-E | VND3NV0413TR | VND3NV04TR-E |
Schéma fonctionnel et description de goupille