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Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal

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China Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal wholesale
  • China Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal wholesale

Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal
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Numéro de type :BSP315
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :6800PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Ligne principale :IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.
Caractéristiques :Canal de P
Features2 :Mode d'amélioration
Features3 :• Niveau de logique
Features4 :VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
Paquet :SOT-23
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Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal

 

 

• Canal de P

• Mode d'amélioration                    Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal

• Niveau de logique

• VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V

 

 

 

Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tension claque de Drain-source V (BR) SAD = ƒ (Tj)

Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal 

 

 

Impédance thermique passagère Zth JA = paramètre du ƒ (tp) : D = tp/T

 

Mode BSP315 SIPMOS d'amélioration de la Manche du transistor P de transistor MOSFET de puissance de signal 

 

 

 

Estimations maximum

Paramètre  Symbole  Valeurs  Unité
Vidangez la tension de source  VDS  -50 V

tension de Drain-porte

RGS = kΩ 20

 VDGR -50
Tension de source de porte VGS  ± 20

Courant continu de drain

MERCI = °C 39

 ID -1,1 A

Courant de drain de C.C,

pulsé MERCI = °C 25

 IDpuls -4,4

Dissipation de puissance

MERCI = °C 25

 Doigt de P 1,8 W

 

 

Mots clés du produit:

pulsed power capacitors
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