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Transistors de transistor MOSFET de puissance de silicium/transistor planaires composant de l'électronique

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China Transistors de transistor MOSFET de puissance de silicium/transistor planaires composant de l'électronique wholesale
  • China Transistors de transistor MOSFET de puissance de silicium/transistor planaires composant de l'électronique wholesale

Transistors de transistor MOSFET de puissance de silicium/transistor planaires composant de l'électronique
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Numéro de type :BCX6925TA
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5000
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :30000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :-25 V
Tension de collecteur-émetteur :-20 V
tension d'Émetteur-Base d'e VCEO -20 V :-5 V
Opération et température ambiante de température de stockage :-65 °C +150
Dissipation de puissance à Tamb=25°C :1 W
Courant de collecteur continu :-1 A
Courant maximal d'impulsion :-2 A
D'autres produits :Circuit intégré, diodes, transistors, modules, et ainsi de suite.
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Transistors de transistor MOSFET de puissance de silicium/transistor planaires composant de l'électronique

 

 

CARACTÉRISTIQUES

 

* TYPE COMPLÉMENTAIRE à gain élevé et bas de tensions de saturation – DÉTAIL de BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG. BCX69-25 – ch

 

CAPACITÉS ABSOLUES.

 

Collecteur à la tension basse VCBO -25 V
Collecteur à la tension d'émetteur VCEO -20 V
Émetteur à la tension basse VEBO -5 V
Courant maximal d'impulsion Missile aux performances améliorées -2 A
Courant de collecteur continu IC -1 A
Dissipation de puissance Ptot 1 Nanowatt
Opération et température de stockage Tj Tstg -65 à +150 ℃

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (à Tamb = à 25°C sauf indication contraire).

Transistors de transistor MOSFET de puissance de silicium/transistor planaires composant de l'électronique

 

 

 

Mots clés du produit:

mosfet current limiter circuit
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