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Transistors IC 2SD1625 PNP de transistor MOSFET de puissance du silicium rf/planaire épitaxial de NPN

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China Transistors IC 2SD1625 PNP de transistor MOSFET de puissance du silicium rf/planaire épitaxial de NPN wholesale
  • China Transistors IC 2SD1625 PNP de transistor MOSFET de puissance du silicium rf/planaire épitaxial de NPN wholesale

Transistors IC 2SD1625 PNP de transistor MOSFET de puissance du silicium rf/planaire épitaxial de NPN
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Numéro de type :2SD1625
Point d'origine :Philippines
Quantité d'ordre minimum :20
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :20000
Délai de livraison :1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
La température de jonction :℃ 150
La température de stockage :℃ -55 à +150
Capacité de production :9-18pF
Paquet :SOT-23
produit de Gain-largeur de bande :170-200 mégahertz
Courant de collecteur :-0.7A
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Transistors IC 2SD1625 PNP de transistor MOSFET de puissance du silicium rf/planaire épitaxial de NPN

 

 

applications du conducteur 2SD1625

 

Transistors planaires épitaxiaux IC de silicium de PNP/NPN

 

Applications

 

Circulez en voiture les conducteurs, conducteurs de marteau d'imprimante, dreiver de relais, contrôle de régulateur de tension

 

Caractéristiques

 

Gain actuel élevé de C.C

Grand curren la capacité et l'ASO large

Très de petite taille le rendant facile de fournir la haute densité, hybride de petite taille IC

 

Capacités absolues à TA=25℃

Collecteur à la tension basse VCBO -80 V
Collecteur à la tension d'émetteur VCEO -50 V
Émetteur à la tension basse VEBO -10 V
Courant de collecteur IC -0,7 A
Courant de collecteur (impulsion) ICP -2 A
Dissipation de collecteur PC 500 Nanowatt
La température de jonction Tj 150 ℃
Température de stockage Tstg -55 à +150

℃

 

Transistors IC 2SD1625 PNP de transistor MOSFET de puissance du silicium rf/planaire épitaxial de NPN

 

Mots clés du produit:

mosfet current limiter circuit

pnp junction transistor

difference between pnp and npn
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