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Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

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Numéro de type :KSP2907A
Point d'origine :Philippines
Quantité d'ordre minimum :20
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :20000
Délai de livraison :1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Features2 :• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)
Caractéristiques :• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V
Features3 :• Suffixe « - C » signifie un collecteur central (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4 :• Non suffixe « - C » signifie un collecteur latéral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5 :• Disponible comme PN2907A
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Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

 

 

Caractéristiques

• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V                Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)

• Suffixe « - C » signifie un collecteur central (1.Emitter 2.Collector 3.Base)

• Non suffixe « - C » signifie un collecteur latéral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)

• Disponible comme PN2907A

 

 

 

Capacités absolues * merci = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre Valeur Unités
VCBO Tension de collecteur-base -60  V
VPRÉSIDENT  Tension de collecteur-émetteur  -60  V
VEBO  Tension d'Émetteur-Base -5  V
IC Courant de collecteur  -600  mA
TJ La température de jonction  +150  °C

 

 

Amplificateur équivalent d'usage universel du transistor KSP2907A PNP de transistor MOSFET de puissance

 

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