Le transistor IXFH60N50P3 de transistor MOSFET de puissance de commutation jeûnent redresseur intrinsèque
Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VSAD = 500V
Transistor MOSFET IXFQ60N50P3 I de puissance D25 = 60A
≤ 100mΩ d'IXFH60N50P3 RDS(dessus)
Mode d'amélioration de N-Canal 
Avalanche évaluée
Redresseur intrinsèque rapide
| Symbole |
Conditions d'essai |
Estimations maximum |
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VSAD
VDGR
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TJ = 25°C à 150°C
TJ = 25°C à 150°C, RGS = 1MΩ
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500 V
500 V
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VGSS
VGSM
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Continu
Passager
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± 30 V
± 40 V
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I D25
I DM
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Comité technique = 25°C
Comité technique = 25°C, Pulse Width Limited par TJM
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60 A
150 A
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I A
EAS
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TC = 25°C
Comité technique = 25°C
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30 A
1 J
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| dv/dt |
EST le ≤ IDM, le ≤ VDSS, le ≤ 150°C de VDD de TJ |
35 V/ns |
| PD |
Comité technique = 25°C |
W 1040 |
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TJ
TJM
Stg de T
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-55… °C +150
°C 150
-55… °C +150
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TL
Tsold
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1.6mm (0.062in.) du point de droit pour 10s
Corps en plastique pendant 10 secondes
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°C 300
°C 260
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| DM |
Couple de support (TO-247 et TO-3P) |
1,13/10 Nm/lb.in. |
| Poids |
TO-268
TO-3P
TO-247
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4,0 g
5,5 g
6,0 g
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Caractéristiques
Redresseur intrinsèque rapide
Avalanche évaluée
Le bas RDS (DESSUS) et QG
Basse inductance de paquet
Avantages
Densité de puissance élevée
Facile à monter
L'épargne d'espace
Applications
Alimentations de Commutateur-Mode et d'énergie de Résonnant-Mode
Conducteurs de laser des convertisseurs z de DC-DC
Commandes de moteur à C.A. et de C.C
Robotique et contrôles servo
Fig. 1. caractéristiques de production @ TJ = 25ºC fig. 2. caractéristiques de production prolongées @ TJ = 25ºC
Fig. 3. caractéristiques de production @ TJ = 125ºC fig. 4. le RDS (dessus) normalisée à valeur identification = 30A contre la température de jonction
Fig. 5. le RDS (dessus) normalisé à valeur identification = 30A contre le courant maximum du drain 6. contre le drain CurrentFig de cas. La température
Fig. 7. fig. entrée 8. Transconductance d'accès
