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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée

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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée

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Brand Name :STMICROELECTRONICS
Model Number :BTA16-600BRG
Certification :Original Factory Pack
Place of Origin :Morocco
MOQ :100pcs
Price :Negotiation
Payment Terms :T/T, Western Union,PayPal
Supply Ability :8000PCS
Delivery Time :1 Day
Packaging Details :please contact me for details
RMS on-state current :16 A
Voltage :600V 700V 800V
Value for fusing :144 A² s
Collector current :10 to 50 mA
Critical rate of rise of on-state current :50 A/µs
Storage junction temperature :-40 to +150 ℃
Operating junction temperature :-40 to +125 ℃
Package :TO-220
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Thyristors bidirectionnels de silicium de triacs de TRIACS de BTA16-600BRW 16A

 

Caractéristiques

Triac actuel moyen

■Basse résistance thermique avec la liaison d'agrafe

■Basse isolation de résistance thermique en céramique pour BTA isolé

■Commutation élevée (4Q) ou capacité très élevée de la commutation (3Q)

■Série UL1557 de BTA certifiée (référence de dossier : 81734)

■Les paquets sont RoHS (2002/95/EC) conformeTransistors de transistor MOSFET de puissance élevée

 

 

Applications

La fonction "MARCHE/ARRÊT" ou de phase d'angle dans les applications telles que les relais statiques, les rhéostats légers et les moteurs d'appareils expédient des contrôleurs. Les versions snubberless (série W et T12 de BTA/BTB…) sont particulièrement recommandées pour l'usage sur les charges inductives, en raison de leurs représentations élevées de commutation.

 

La série de BTA fournit une étiquette isolée (évaluée à 2500 V RMS).

 

 

Description

Disponible dans des paquets d'à travers-trou ou de surface-bâti, des séries du triac de BTA12, de BTB12 et de T12xx convient à la commutation d'usage universel à C.A. d'alimentation secteur.

 

 

Résumé de dispositif

                                 
SymboleParamètreT12xxBTA12 (1) BTB12
SERVICE INFORMATIQUE (RMS) Courant de sur-état de RMS121212
VDRM/VRRMTension hors état maximale répétitive 600/800600/800600/800
IGT (Snubberless)Déclenchement du courant de porte10/35/505/10/35/505/10/35/50
IGT (norme)Déclenchement du courant de porte-35/5035/50

 

 

Schéma 1. dissipation de puissance de maximum contre le courant de sur-état de RMS (le plein cycle)

 

 

 

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée

 

 

 

 

 

 

 

Sur-état du schéma 2. RMS actuel contre la température de carter (plein cycle)

 

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée

 

L'information de empaquetage

L'époxyde rencontre UL94, V0 afin de répondre à des conditions ambiantes, offres de St ces dispositifs en paquets d'ECOPACK®. Ces paquets ont une deuxième interconnexion de niveau sans plomb. La catégorie de la deuxième interconnexion de niveau est marquée sur le paquet et sur le label intérieur de boîte, conformément à JEDEC JESD97 standard. Les estimations maximum liées aux conditions de soudure sont également marquées sur le label intérieur de boîte. ECOPACK est une marque déposée de St. Les caractéristiques d'ECOPACK sont disponibles à : www.st.com.

Mots clés du produit:
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