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original épitaxial de transistor de silicium du transistor NPN de Pin 2SC5242 3

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China original épitaxial de transistor de silicium du transistor NPN de Pin 2SC5242 3 wholesale
  • China original épitaxial de transistor de silicium du transistor NPN de Pin 2SC5242 3 wholesale

original épitaxial de transistor de silicium du transistor NPN de Pin 2SC5242 3
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Numéro de type :2SC5242
Point d'origine :Japon
Quantité d'ordre minimum :50
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :4000
Délai de livraison :1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
classification R de hFE :55-110
classification O de hFE :80-160
Ligne principale :Composants d'IC, transistor, diode, module, condensateur etc.
tension :230v
température :-50-+150°C
Paquet :TO-3P
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original épitaxial de transistor de silicium du transistor NPN de Pin 2SC5242 3

 

 

 

Transistor épitaxial 2SC5242 de silicium de NPN 

 

Applications

• Amplificateur haute-fidélité de sortie audio

• Caractéristiques d'usage universel d'amplificateur de puissance

• Capacité à forte intensité : IC = 15A

• Dissipation de puissance élevée : 130watts

• Haute fréquence : 30MHz.

• Haute tension : VCEO=230V

• S.O.A large pour l'opération fiable.

• Excellentes linéarités de gain pour bas THD.

• Complément à 2SA1962/FJA4213.

• Les modèles thermiques et électriques d'épice sont disponibles

• Le même transistor est également disponible dans : --Paquet TO264,

2SC5200/FJL4315 : 150 watts --Paquet TO220,

FJP5200 : 80 watts --Paquet de TO220F, FJPF5200 : 50 watts

 

Ratings* maximum absolu merci = 25°C sauf indication contraire

 

Symbole Paramètre Estimations Unités
LA BVCBO Tension de collecteur-base 230 V
PRÉSIDENT DE LA BV Tension de collecteur-émetteur 230 V
LA BVEBO Tension d'Émetteur-Base 5 V
IC Courant de collecteur (C.C) 15 A
IB Courant de base 1,5 A
PD Dissipation totale de dispositif (TC=25°C) sous-sollicitent au-dessus de 25°C

130

1,04

W

W/°C
TJ, TSTG Jonction et température de stockage -50-+150 °C

* Ces estimations sont des valeurs limites au-dessus dont l'utilité de n'importe quel dispositif de semi-conducteur peut être altérée.

 

Characteristics* thermique Ta=25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre MAXIMUM. Unité
R deθJC Résistance thermique, jonction au cas 0,96 W/°C

* Dispositif monté sur la taille minimum de protection

original épitaxial de transistor de silicium du transistor NPN de Pin 2SC5242 3

 

 

 

Mots clés du produit:

npn and pnp transistor working

smd transistor packages

pin diode modulators
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