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Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3

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China Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3 wholesale
  • China Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3 wholesale

Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3
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Numéro de type :2SK3797
Point d'origine :Malaisie
Quantité d'ordre minimum :10
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :2500
Délai de livraison :Offre courante
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
tension de Drain-source :600v
tension de Drain-porte :600v
Ligne principale :Composants d'IC, transistor, diode, module, condensateur etc.
température :-50~150 °C
Paquet :À 220
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Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3

 

 

 

type de MOS de N-Canal de silicium de transistor à effet de champ 2SK3797  Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3

 

Applications de régulateur de commutation

• Basse drain-source SUR la résistance : Le RDS (DESSUS) = 0.32Ω (type.)

• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 7,5 S (type.)

• Bas courant de fuite : IDSS = μA 100 (VDS = 600 V)

• Modèle d'amélioration : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)

 

Estimations maximum (merci = 25°C)

 

Caractéristique Symbole Évaluation Unité
tension de Drain-source VDSS 600 V
tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) VDGR 600 V
tension de Porte-source VGSS ±30 V

Vidangez le C.C actuel

                                  Impulsion (t = 1 Mme)

 Identification 13 A
IDP 52
Vidangent la dissipation de puissance (comité technique = 25°C) Palladium 50 W
Énergie simple d'avalanche d'impulsion EAS 1033 MJ
Courant d'avalanche L'AR 13 A
Énergie répétitive d'avalanche OREILLE 5,0 MJ
La température de la Manche Tch 150 °C
Température ambiante de température de stockage Tstg -50-150     °C

 

Caractéristiques thermiques

Caractéristique Symbole Maximum Unité
Résistance thermique, canal au cas Rth (ch-c) 2,5 w/ °C
Résistance thermique, canal à abinent Rth (ch-un) 62,5 w/ °C

 

Note 1 : Assurez-vous que la température de canal ne dépasse pas 150°C pendant l'utilisation du dispositif.

Note 2 : VDD = 90 V, Tch = 25°C (initiale), L = 10,7 MH, IAR = 13 A, RG = Ω 25

Note 3 : Estimation répétitive : la durée d'impulsion a limité par la température maximum de canal que ce transistor est un dispositif sensible électrostatique. Manipulez avec soin.

 

Offre d'actions de transistor à effet de champ de MOS du transistor 2SK3797 de Pin d'IC 3

 

 

 

Mots clés du produit:

smd transistor packages

pin diode modulators
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