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PETITE GORGÉE hybride de circuit inverseur de module d'alimentation de transistor MOSFET de STK621-220A complètement moulée

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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PETITE GORGÉE hybride de circuit inverseur de module d'alimentation de transistor MOSFET de STK621-220A complètement moulée

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Numéro de type :STK621-220A
Point d'origine :Philippines
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :180pcs
Délai de livraison :1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Features1 :DCR très bas ; excellente manipulation de courant
Features2 :× de la miniature 3,0 empreinte de pas de 3,0 millimètres ; moins de 1,5 millimètres de grand
Features3 :Fritte conforme d'argent-palladium-platine-verre de RoHS. D'autres arrêts disponibles aux frais supp
Poids :t 40 – mg 45
Température ambiante :e – 40°C à +85°C avec le courant d'Irms, +85°C à +125°C avec le courant sous-sollicité
La température de stockage :Composant : – 40°C à l'emballage de +125°C. : – 40°C à +80°C
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PETITE GORGÉE hybride de circuit inverseur de module d'alimentation de transistor MOSFET de STK621-220A complètement moulée

 

 

MODULE D'HYBRIDE DE PUISSANCE D'INVERSEUR DE STK621-220A

De PETITE GORGÉE paquet moulé complètement

 

Aperçu

Cet IC est une puissance triphasée IC hybride d'inverseur contenant les éléments de puissance (IGBT et FRD), le pré-conducteur, la surintensité et le circuit de protection excessif de la température.

 

Application

• commande triphasée de moteur d'inverseur

 

Caractéristiques

• Intègre les éléments de puissance (IGBT et FRD), le pré-conducteur, et le circuit de protection.

• Des circuits de protection comprenant la surintensité (ligne d'autobus), la température excessive et la protection de basse tension de pré-commande sont incorporés.

• L'entrée directe des signaux de contrôle de niveau de CMOS sans circuit isolant (photocoupleur, etc.) est possible.

• La commande simple d'alimentation d'énergie est possible à l'aide d'un circuit d'amorce avec IC intégré

• Le moniteur de la température est possible par la thermistance à l'intérieur d'IC

• Supérieur et inférieur simultané intégré SUR le circuit de prévention pour empêcher le bras court-circuitant par simultané SUR l'entrée pour les transistors latéraux supérieurs et inférieurs. (Le temps mort est exigé pour empêcher court-circuiter dû au retard de changement.)

• PETITE GORGÉE (le paquet intégré simple) de la pleine structure de moule de transfert.

 

Caractéristiques absolues

Estimations maximum à comité technique = 25°C

 

Paramètre Symbole Condition Estimations Unité
Tension d'alimentation Vcc + - −, montée subite < 500V=""> 450 V
Tension de collecteur-émetteur Vce + - U (V, W) ou U (V, W) 600 V
Courant de sortie E/S +, −, U, V, courant terminal de W ±30 A
Courant de pointe de production Lop +, −, U, V, courant terminal de W picowatt = 100μs ±45 A
tension d'alimentation de Pré-conducteur VD1,2,3,4 VB1 - U, VB2 - V, VB3 - W, VDD - VSS 20 V
Tension de signal d'entrée Vin HIN1, 2, 3, LIN1, 2, terminal 3 0 à 7 V
Tension de terminal de DÉFAUT VFAULT Terminal de DÉFAUT 20 V
Perte maximum Palladium Par 1 canal 49 W
La température de jonction Tj IGBT, la température de jonction de FRD 150 °C
Température de stockage Tstg   -40 à +125  °C
Température de fonctionnement Comité technique Température de carter de H-IC -20 à +100 °C
Serrage du couple   Une pièce de vis au type vis de l'utilisation M4 1,17 Nanomètre
Tension de tenue  Force C.A. d'onde sinusoïdale 50Hz 1 minute 2000 VRMs

Dans le cas sans instruction, la norme de tension est - terminal = tension de terminal de VSS. Tension de montée subite *1 développée par l'opération de commutation due à l'inductance de câblage entre + et – terminaux. *2 VD1 = entre VB1-U, VD2 = VB2-V, VD3 = VB3-W, VB4 = VDD-VSS, tension terminale. La planéité *3 du radiateur devrait être inférieure à 0.25mm. *4 la condition d'essai est C.A. 2500V, 1 seconde.

 

 

Notes

1. L'entrée SUR la tension indique une valeur pour allumer l'étape IGBT de production. L'entrée OUTRE de la tension indique une valeur pour arrêter l'étape IGBT de production. À l'heure de la production DESSUS, placez la tension 0V de signal d'entrée à VIH (max). À l'heure de la production, placez la tension VIL (MINUTE) de signal d'entrée à 5V.

2. Quand le circuit de protection interne opère, il y a un signal de défaut (quand le terminal de défaut est de bas niveau, le signal de défaut est SUR l'état : la forme de production est DRAIN ouvert) mais le signal de défaut ne se verrouille pas. Après des extrémités d'opération de protection, il revient automatiquement dans environ 18ms à 80ms et reprend l'état de début d'opération. Ainsi, après détection de signal de défaut, ensemble (HAUTE) à tous les signaux d'entrée immédiatement. Cependant, l'opération de la protection de basse tension d'alimentation d'énergie de pré-commande (UVLO : il a une hystérésis au sujet de 0.3V) est comme suit. Le → de côté supérieur là n'est aucune production de signal de défaut, mais il fait un signal correspondant de porte. Par ailleurs, il revient à l'opération régulière quand la récupération à la tension normale, mais au verrou continue parmi le signal d'entrée DESSUS (le BAS). Abaissez le → latéral qu'il produit le signal de défaut avec le signal de porte. Cependant, il est différent de l'opération de protection du côté supérieur, c'est automatiquement des remises au sujet de 18ms à 80ms plus tard et reprend l'état de début d'opération en récupérant à la tension normale. (L'opération de protection ne se verrouille pas par le signal d'entrée.)

3. Quand assembler IC hybride sur le radiateur avec M4 le type vis, serrant la gamme de couple est 0.79N•m à 1.17N•m. La planéité du radiateur devrait être inférieure à 0.25mm.

4. La protection de basse tension de pré-commande est la caractéristique pour protéger un dispositif quand la tension d'alimentation de pré-conducteur diminue avec le défaut de fonctionnement de fonctionnement. Quant à la baisse de tension d'alimentation de pré-conducteur en cas de début d'opération, et ainsi de suite, nous demandons la confirmation dans l'ensemble.

 

PETITE GORGÉE hybride de circuit inverseur de module d'alimentation de transistor MOSFET de STK621-220A complètement moulée

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