Tensions hors état de Rückwärts-Spitzensperrspannung d'und de Periodische Vorwärts- et inverses en avant maximales répétitives	Tvj = -40°C… Tvj maximum	VDRM, VRRM	1000 1400 1200 1600 1800	V V V
Tension hors état en avant maximale non répétitive de Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung	Tvj = -40°C… Tvj maximum	VDSM	1000 1400 1200 1600 1800	V V V
Courant maximum de sur-état de Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS	Tvj =+25°C… Tvj maximum	VRSM
Courant maximum de sur-état de Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS		ITRMSM	800	A
Sur-état moyen de Dauergrenzstrom actuel comité technique = 85°C comité technique = 74°C ITAVM 425 510 A A	Comité technique = 85°C Comité technique = 74°C		425 510	A A
Courant de montée subite de Stoßstrom-Grenzwert	Tvj = °C 25 tP = Mme 10 Tvj = Tvj maximum tP = Mme 10	ITSM	14500 12500	A A
T-valeur de ² de Grenzlastintegral I	Tvj = °C 25 tP = Mme 10 Tvj = Tvj maximum tP = Mme 10	I ² t	Un ² s Un ² s	A A
Taux critique de Kritische Stromsteilheit de hausse du courant de sur-état	Le CEI 747-6 DIN f = 50 hertz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs	Cr (dIT/dt)	120	A/µs
Taux critique de Kritische Spannungssteilheit de hausse de tension hors état	Tvj = Tvj maximum, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe/6ème lettre F	Cr (dvD/dt)	1000	V/µs

Elektrische Eigenschaften/propriétés électriques

Charakteristische Werte/valeurs caractéristiques

Temps d'arrêt commuté par circuit de Freiwerdezeit

Tvj = Tvj maximum, iTM = vRM d'ITAVM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, - diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe/5ème lettre O

type 250

µs

Tension d'essai d'isolation d'isolements-Prüfspannung

RMS, f = 50 hertz, t = 1 RMS minimum, f = 50 hertz, t = 1 sec

VISOL

3,0

3,6

Kilovolt

Luftselbstkühlung/naturel refroidissant 1 Modul pro Kühlkörper/1 module par radiateur Kühlkörper/type de radiateur : Kilomètre 17 (120W)

Verstärkte Kühlung/a forcé refroidir 1 Modul pro Kühlkörper/1 module par radiateur Kühlkörper/type de radiateur : KM17 (Papst 4650N)

new&original 100%

Mots clés du produit:

Module de diode de thyristor d'IC Netz de module d'alimentation de transistor MOSFET de contrôle de phase

puce de circuit intégré