conducteur de module d'IC 7MBR75UB120-50 IGBT de module d'alimentation de transistor MOSFET de 1200V 75A PIM
MODULE de 7MBR75UB120-50 IGBT (série d'U) 1200V/75A/PIM
Caractéristiques
. Bas VCE (reposés)
· Paquet compact
· P.C. Module de bâti de conseil
· Circuit dynamique de frein de pont en diode de convertisseur
Applications
· Inverseur pour la commande de Motoe
· Amplificateur servo d'entraînement à C.A. et de C.C
· Alimentation d'énergie non interruptible
Estimations et caractéristiques maximum
Capacités absolues (Tc=25°C sauf indication contraire)
| Article |
Symbole |
Condition |
Évaluation |
Unité |
| Inverseur |
Tension de collecteur-émetteur |
Vces |
|
1200 |
V |
| Tension de Porte-Émetteur |
Vges |
|
±20 |
V |
| Courant de collecteur |
IC |
Tc=25°C continu
Tc=80°C |
75
50 |
A |
| ICP |
1ms Tc=25°C
Tc=80°C |
150
100 |
| - IC |
|
75 |
| - Impulsion d'IC |
1 Mme |
150 |
| Disspation de puissance de collecteur |
PC |
1 dispositif |
275 |
W |
| Courageux |
Tension de collecteur-émetteur |
Vces |
|
1200 |
V |
| Tension de Porte-Émetteur |
Vges |
|
±20 |
V |
| Courant de collecteur |
IC |
Tc=25°C continu
Tc=80°C |
35
25 |
A |
| ICP |
1ms Tc=25°C
Tc=80°C |
70
50 |
| Disspation de puissance de collecteur |
PC |
1 dispositif |
160 |
W |
| Tension inverse maximale répétitive |
Vrrm |
|
1200 |
V |
| Convertisseur |
Tension inverse maximale répétitive |
Vrrm |
|
1600 |
V |
| Courant de sortie moyen |
b |
onde sinusoïdale 50Hz/60Hz |
75 |
A |
Courant de montée subite (non répétitif)
L2t (non répétitifs) |
IFSM
l2T |
Tj=150°C, 10ms
demi onde sinusoïdale |
520
1352 |
Un2S |
| La température de jonction fonctionnante |
Tj |
|
+150 |
℃ |
| Température de stockage |
Tstg |
|
-40 à +125 |
℃ |
Isolement
tension |
entre le terminal et le cuivre *2 bas |
Viso |
C.A. : 1 minute |
AC2500 |
V |
| entre la thermistance et d'autres *3 |
AC2500 |
V |
| |
Couple de vis de support |
|
|
3,5 *1 |
Nanomètre |
Valeur *1 recommandable : 2,5 à 3,5 N·m (M5)
*2 tous les terminaux devrait être relié ensemble quand l'essai d'isolement sera fait.
Des terminaux de la thermistance *3 deux devraient être reliés ensemble, des terminaux devrait être relié ensemble et court-circuité à l'embase quand l'essai d'isolement sera fait.
