L'électronique linéaire cellulaire d'amplificateur de la bande rf partie 47 le dBm MHL9236
Conçu pour des applications ultra-linéaires d'amplificateur dans des systèmes de 50 ohms fonctionnant dans la bande de fréquence cellulaire. Une conception de la classe A de FET de silicium fournit des linéarités et le gain exceptionnels. En outre, l'excellents retard de groupe et caractéristiques de linéarités de phase sont idéaux pour les systèmes de modulation analogues ou numériques les plus exigeants, tels que TDMA, CDMA ou QPSK
• Interception de troisième ordre : type de 47 dBm
• Gain en puissance : type du DB 30,5 (@ f = 880 mégahertz)
• Excellentes caractéristiques de retard de linéarités et de groupe de phase
• Idéal pour des applications de station de base de réaction
• Pour l'usage dans TDMA, CDMA, QPSK ou systèmes analogues
| Évaluation |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| Tension d'alimentation de C.C |
VDENSITÉ DOUBLE |
30 |
Volts continu |
| Puissance d'entrée de rf |
Pdedans |
+10 |
dBm |
| Température ambiante de température de stockage |
Stg de T |
– 40 à +100 |
°C |
| Chaîne fonctionnante de température de carter |
TC |
– 20 à +100 |
°C |
| Caractéristique |
Symbole |
Minute |
Type |
Maximum |
Unité |
| Courant d'approvisionnement |
IDENSITÉ DOUBLE |
— |
550 |
620 |
mA |
| Gain en puissance (f = 880 mégahertz) |
Gp |
29,5 |
30,5 |
31,5 |
DB |
| Planéité de gain (f = 800-960 mégahertz) |
GF |
— |
0,1 |
0,3 |
DB |
| Puissance de sortie @ 1 compartiment de DB (f = 880 mégahertz) |
DB du tacaud 1 |
33,0 |
34,0 |
— |
dBm |
| Entrée VSWR (f = 800-960 mégahertz) |
VSWRin |
— |
1.2:1 |
1.5:1 |
|
| Production VSWR (f = 800-960 mégahertz) |
VSWR |
— |
1.2:1 |
1.5:1 |
|
| Interception de troisième ordre (f1 = 879 mégahertz, F2 = 884 mégahertz) |
ITO |
46,0 |
47,0 |
— |
dBm |
| Chiffre de bruit (f = 800-960 mégahertz) |
N-F |
— |
3,5 |
4,5 |
dBm |
