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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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China Semiconducteur MOSFET Complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G wholesale

Semiconducteur MOSFET Complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G

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Numéro de type :MJ15025G

Point d'origine :Le Mexique

Quantité d'ordre minimum :5pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :260pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

D'entité :Région élevée d'opération sûre (100% examiné) −2 A @ 80 V

Courant de C.C :HFE élevé de − de gain actuel de C.C = 15 (minute) @ IC = 8 CDA

Condition :• Pb−Free

Paquet :TO-204

Ligne principale :IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.

Pack usine :100pcs/tray

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Semiconducteur MOSFET Complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G

− MJ15023, MJ15025* DE PNP

Transistors de puissance de silicium

Les MJ15023 et les MJ15025 sont des transistors de puissance de PowerBase conçus pour l'audio de puissance élevée, les positionneurs principaux de disque et d'autres applications linéaires.

Caractéristiques

• Région élevée d'opération sûre (100% examiné) −2 A @ 80 V

• HFE élevé de − de gain actuel de C.C = 15 (minute) @ IC = 8 CDA

• Les paquets de Pb−Free sont Available*

MJ1502x = code de dispositif

X = 3 ou 5

G = paquet de Pb−Free

A = emplacement d'Assemblée

Y = année

WW = semaine de travail

MEX = pays d'origine

L'INFORMATION DE COMMANDE

Dispositif	Paquet	Expédition
MJ15023	TO−204	100 unités/plateau
MJ15023G	TO−204 (Pb−Free)	100 unités/plateau
MJ15025	TO−204	100 unités/plateau
MJ15025G	TO−204 (Pb−Free)	100 unités/plateau

Il y a deux limitations sur la capacité powerhandling d'un transistor : la température de jonction moyenne et deuxième panne. Les courbes de secteur d'opération sûre indiquent des limites du − VCE d'IC du transistor qui doit être observé pour l'opération fiable ; c.-à-d., le transistor ne doit pas être soumis à une plus grande dissipation que les courbes indiquent.

Les données du schéma 1 sont basées sur TJ (PK) = 200C ; Le comité technique est variable selon des conditions. Aux températures de carter élevées, les limitations thermiques réduiront la puissance qui peut être manipulée aux valeurs moins que les limitations imposées par la deuxième panne.

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

Mots clés du produit: