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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Le module d'alimentation du transistor MOSFET MHL21336 IC partie 3G l'amplificateur linéaire de la bande rf LDMOS

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Numéro de type :MHL21336

Point d'origine :Malaisie

Quantité d'ordre minimum :5pcs

Conditions de paiement :Western Union, Paypal, T/T

Capacité d'approvisionnement :1200pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Features1 :Interception de troisième ordre : type de 45 dBm

Features2 :Gain en puissance : type du DB 31 (@ f = 2140 mégahertz)

Features3 :1.5:1 de l'entrée VSWR

Features4 :Excellentes caractéristiques de retard de linéarités et de groupe de phase

Features5 :Idéal pour des applications de station de base de réaction

Features6 :Le suffixe de N indique des arrêts sans plomb

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Le module d'alimentation du transistor MOSFET MHL21336 IC partie 3G l'amplificateur linéaire de la bande rf LDMOS

3G amplificateur linéaire de la bande rf LDMOS

Conçu pour des applications ultra-linéaires d'amplificateur dans des systèmes de 50 ohms fonctionnant dans la bande de fréquence 3G. Une conception de la classe A de FET de silicium fournit des linéarités et le gain exceptionnels. En outre, l'excellents retard de groupe et caractéristiques de linéarités de phase sont idéaux pour les systèmes numériques de modulation de CDMA.

• Interception de troisième ordre : type de 45 dBm

• Gain en puissance : type du DB 31 (@ f = 2140 mégahertz)

• 1.5:1 de l'entrée VSWR

Caractéristiques

• Excellentes caractéristiques de retard de linéarités et de groupe de phase

• Idéal pour des applications de station de base de réaction

• Le suffixe de N indique des arrêts sans plomb

Évaluation	Symbole	Valeur	Unité
Tension d'alimentation de C.C	VDD	30	Volts continu
Puissance d'entrée de rf	Pin	+5	dBm
Température ambiante de température de stockage	Tstg	- 40 à +100	°C

Mots clés du produit: