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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Module d'alimentation de transistor MOSFET de basse tension

Name: Module dalimentation de transistor MOSFET de basse tension
Brand: MOTOROLA
Price: 1 USD

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Brand Name :MOTOROLA

Model Number :MHL18336

Certification :Original Factory Pack

Place of Origin :Germany

MOQ :5pcs

Price :Negotiation

Payment Terms :T/T, Western Union,PayPal

Supply Ability :285PCS

Delivery Time :1 Day

Packaging Details :please contact me for details

Feature :Third Order Intercept: 46 dBm Typ

Feature2 :Power Gain: 30 dB Typ (@ f =1850 MHz)

Feature3 :Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

Feature4 :Ideal for Feedforward Base Station Applications

Storage Temperature Range :–40 to +100 °C

Voltage :30V

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? ? ? ? MHL18336 ? AMPLIFICATEUR LINÉAIRE DE LA BANDE RF LDMOS DE PCS

Conçu pour des applications ultra-linéaires d'amplificateur dans des systèmes de 50 ohms fonctionnant dans la bande de fréquence de PCS. Une conception de la classe A de FET de silicium fournit des linéarités et le gain exceptionnels. En outre, l'excellents retard de groupe et caractéristiques de linéarités de phase sont idéaux pour les systèmes numériques de modulation, tels que TDMA et CDMA.

• Interception de troisième ordre : type de 46 dBm

• Gain en puissance : type du DB 30 (@ f =1850 mégahertz)

• Excellentes caractéristiques de retard de linéarités et de groupe de phase

• Idéal pour des applications de station de base de réaction

Estimation	Symbole	Valeur	Unité
Tension d'alimentation de C.C	VDD	30	Volts continu
Le rf d'entrée la puissance	Pin	+10	dBm
Température ambiante de température de stockage	Tstg	– 40 à +100	°C

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (VDD = 26 volts continu, comité technique = 25°C ; système de 50 Ω)

Caractéristique	Symbole	Minute	Type	Maximum	Unité
Approvisionnement actuel	IDD	—	500	525
Gain en puissance (f =1850 mégahertz)	Généraliste	29	30	31	DB
Planéité de gain (f = 1800-1900 mégahertz)	GF	—	0,2	0,4	DB
Puissance de sortie @ 1 compartiment de DB. (f = 1850 mégahertz)	^{DB du} tacaud ¹	35	36	—	dBm
Entrée VSWR (f = 1800-1900 mégahertz)	VSWRin	—	1.2:1	1.5:1
Interception de troisième ordre (f1 = 1847 mégahertz, F2 = 1852 mégahertz)	ITO	45	46	—	dBm
Chiffre de bruit (f = 1850 mégahertz)	N-F	—	4,2	4,5	DB

Mots clés du produit:

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