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Accueil / produits / 3 Pin Transistor / Fossé IGBT du transistor FGA25N120ANTD 1200V TNP de Pin de l'original 3 /

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Fossé IGBT du transistor FGA25N120ANTD 1200V TNP de Pin de l'original 3
Fossé IGBT du transistor FGA25N120ANTD 1200V TNP de Pin de l'original 3
  • Fossé IGBT du transistor FGA25N120ANTD 1200V TNP de Pin de l'original 3
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FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 fossé IGBT de 1200V TNP Caractéristiques • Technologie de fossé de TNP, coefficient de température positif • Basse ...
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igbt saturation voltage igbt switching loss igbt induction heating

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