Caractéristiques du produit
• 400 – 2700 mégahertz 
• +33 dBm P1dB
• sortie IP3 de +50 dBm
• gain 13,4 de DB @ 2140 mégahertz
• courant tranquille de 500 mA
• +5 V choisissent l'approvisionnement
• MTTF > 100 ans
• Paquet sans plomb SOIC-8/RoHS-conforme
Applications
• Amplificateurs de phase finale pour des répétiteurs
• Amplificateurs de puissance élevée
• Infrastructure mobile
• LTE/WCDMA/BORD/CDMA
Description de produit
L'AH322 est un haut amplificateur de conducteur de dynamique dans un paquet extérieur bon marché de bâti. L'InGaP/GaAs HBT peut réaliser la haute performance pour différents circuits narrowbandtuned d'application avec jusqu'à +50 OIP3 et dBm +33 de la puissance 1dB comprimée. Il est logé dans paquet SOIC-8 sans plomb/RoHS-conforme. Tous les dispositifs sont rf 100% et C.C examinés.
L'AH322 est visé pour l'usage comme amplificateur de conducteur en infrastructure sans fil où la linéarité élevée et la puissance moyenne est exigée. L'AH322 est idéal pour la phase finale de petits répétiteurs ou comme étapes de conducteur pour des amplificateurs de puissance élevée. En outre, l'amplificateur peut être utilisé pour une grande variété d'autres applications dans la bande de fréquence de 400 à 2700 mégahertz.
Données typiques de dispositif
Notes :
Le gain pour le dispositif inégalé dans le système de 50 ohms est montré comme trace dans la couleur rose, [DB (S (2, 1)]. Pour un circuit accordé pour une fréquence particulière, on s'attend à ce que le gain réel soit plus haut, jusqu'au gain stable maximum. Le gain stable maximum est montré dans la ligne bleue [DB (GMAX)]. Les complots d'impédance sont montrés de 0,01 – 4 gigahertz, avec des marqueurs placés dans des augmentations de 0,5 gigahertz.
