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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance d'AO3400A

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Numéro de type :AO3400A

Point d'origine :100% nouveau et original

Quantité d'ordre minimum :100PCS

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Payapl

Capacité d'approvisionnement :6000pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

tension de Drain-source :30 V

Tension de Porte-Source :±12 V

Drain pulsé B actuel :25 A

Drain continu :TA=25°C

Température ambiante de jonction et de température de stockage :-55 à 150°C

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AO3400A

Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal

Description générale

Les utilisations d'AO3400A avancées trench la technologie pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM. Le produit standard AO3400A est sans Pb (rencontre ROHS et Sony 259 caractéristiques).

Caractéristiques

VDS (v) = 30V

Identification = 5.7A (VGS = 10V)

LE RDS (DESSUS) < 26="">

LE RDS (DESSUS) < 32m="">

LE RDS (DESSUS) < 48m="">

Caractéristiques thermiques
Paramètre		Symbole	Type	Maximum	Unités
^A Jonction-à-ambiant maximum	≤ 10s de t	R_deθJA	70	90	°C/W
^A Jonction-à-ambiant maximum	Équilibré	R_deθJA	100	125	°C/W
Jonction-à-avance maximum ^C	Équilibré	R_deθJL	63	80	°C/W

Mots clés du produit:

trench gate mosfet

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